MJD42CT4 Vergleichen AD8541ARZ

Technische Information

Artikelnummer MJD42CT4 AD8541ARZ
Hersteller onsemi N/A
Beschreibung TRANS PWR PNP 6A 100V DPAK IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC
Verfügbare Menge 3164 14735
Datenblätter 1.MMBV3700LT1.pdf2.HCPL2601.pdf3.MJD42CT4G.pdf 1.INA210BQDCKRQ1.pdf2.AD8616ARZ.pdf
Herunterladen MJD42CT4 Einzelheiten PDF.pdf AD8541ARZ Einzelheiten PDF.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse DPAK 8-SOIC
Serie - -
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Cut Tape (CT) Tube
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 125°C
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 15 @ 3A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 6 A  
Grundproduktnummer MJD42 AD8541
Spannung - Versorgungsspanne (min) 2.7 V  
Spannung - Versorgungsspanne (max) 5.5 V  
Spannung - Eingangs-Offset 1 mV  
Slew Rate 0.92V/µs  
Ausgabetyp Rail-to-Rail  
Zahl der Schaltkreise 1  
Verstärkungsbandbreitenprodukt 1 MHz  
Strom - Versorgung 45µA  
Strom - Ausgang / Kanal 30 mA  
Strom - Eingangsruhe 4 pA  
Verstärkertyp General Purpose  

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.