CC0805JRX7R9BB222 Vergleichen CSD18563Q5A

Technische Information

Artikelnummer CC0805JRX7R9BB222 CSD18563Q5A
Hersteller Yageo N/A
Beschreibung CAP CER 2200PF 50V X7R 0805 MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Verfügbare Menge 2611 19300
Datenblätter 1.CC0402CRNPO9BNR50.pdf2.CC0402KRX7R9BB331.pdf
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Spannung - Nennwert 50V  
Toleranz ±5%  
Dicke (max) 0.028' (0.70mm)  
Temperaturkoeffizient X7R  
Größe / Dimension 0.079' L x 0.049' W (2.00mm x 1.25mm)  
Serie CC NexFET™
Bewertungen -  
Verpackung / Gehäuse 0805 (2012 Metric) 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount, MLCC Surface Mount
Leitungsstil -  
Leiter-Abstand -  
Höhe - eingesteckt (max) -  
Eigenschaften -  
Fehlerrate -  
Kapazität 2200 pF  
Anwendungen General Purpose  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-VSONP (5x6)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.8mOhm @ 18A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.2W (Ta), 116W (Tc)  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Ta)  
Grundproduktnummer CSD18563  

Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
Fa Yuen St. MongKok Kowloon, Hong Kong.