Artikelnummer | CC0805JRX7R9BB222 | CSD18563Q5A |
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Hersteller | Yageo | N/A |
Beschreibung | CAP CER 2200PF 50V X7R 0805 | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON |
Verfügbare Menge | 2611 | 19300 |
Datenblätter | 1.CC0402CRNPO9BNR50.pdf2.CC0402KRX7R9BB331.pdf | |
Herunterladen | CC0805JRX7R9BB222 Einzelheiten PDF.pdf | CSD18563Q5A Einzelheiten PDF.pdf |
Spannung - Nennwert | 50V | |
Toleranz | ±5% | |
Dicke (max) | 0.028' (0.70mm) | |
Temperaturkoeffizient | X7R | |
Größe / Dimension | 0.079' L x 0.049' W (2.00mm x 1.25mm) | |
Serie | CC | NexFET™ |
Bewertungen | - | |
Verpackung / Gehäuse | 0805 (2012 Metric) | 8-PowerTDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount, MLCC | Surface Mount |
Leitungsstil | - | |
Leiter-Abstand | - | |
Höhe - eingesteckt (max) | - | |
Eigenschaften | - | |
Fehlerrate | - | |
Kapazität | 2200 pF | |
Anwendungen | General Purpose | |
VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
Vgs (Max) | ±20V | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Supplier Device-Gehäuse | 8-VSONP (5x6) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 18A, 10V | |
Verlustleistung (max) | 3.2W (Ta), 116W (Tc) | |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 30 V | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Typ FET | N-Channel | |
FET-Merkmal | - | |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Ta) | |
Grundproduktnummer | CSD18563 |
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966HINZUFÜGEN: Rm 2703 27F Ho King Kommunikationszentrum 2-16,
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