| Artikelnummer |
CL10A225KA5LNNC |
RJK03B9DPA-00#J53 |
| Hersteller |
Samsung Electro-Mechanics |
Renesas Technology Corp |
| Beschreibung |
CAP CER 2.2UF 25V X5R 0603 |
MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK |
| Verfügbare Menge |
2727 |
6474 |
| Datenblätter |
1.CL10B104KB8NNNC.pdf2.CL21A226MOCLRNC.pdf3.CL10A225KA5LNNC.pdf |
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CL10A225KA5LNNC Einzelheiten PDF.pdf |
RJK03B9DPA-00#J53 Einzelheiten PDF.pdf |
| Spannung - Nennwert |
25V |
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| Toleranz |
±10% |
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| Dicke (max) |
0.020" (0.50mm) |
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| Temperaturkoeffizient |
X5R |
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| Größe / Dimension |
0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.80mm) |
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| Serie |
CL |
- |
| Bewertungen |
- |
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| Verpackung |
Cut Tape (CT) |
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| Verpackung / Gehäuse |
0603 (1608 Metric) |
8-PowerWDFN |
| Andere Namen |
1276-1878-1 |
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| Betriebstemperatur |
-55°C ~ 85°C |
150°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Surface Mount, MLCC |
Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Leitungsstil |
- |
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| Leiter-Abstand |
- |
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| Bleifreier Status / RoHS-Status |
Lead free / RoHS Compliant |
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| Höhe - eingesteckt (max) |
- |
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| Eigenschaften |
Low Profile |
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| detaillierte Beschreibung |
2.2µF ±10% 25V Ceramic Capacitor X5R 0603 (1608 Metric) |
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| Kapazität |
2.2µF |
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| Anwendungen |
General Purpose |
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| VGS (th) (Max) @ Id |
- |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
8-WPAK |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
10.6mOhm @ 15A, 10V |
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| Verlustleistung (max) |
25W (Tc) |
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| Paket |
Bulk |
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| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1110 pF @ 10 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
7.4 nC @ 4.5 V |
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| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
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| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
30 V |
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| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
30A (Ta) |
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